S2M0120120J

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    S2M0120120JTR-SMC
  • Производитель
    SMC DIODE SOLUTIONS
Вы можете запросить у нас любое количество S2M0120120J, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

S2M0120120JTR-SMC описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W

  • Производитель
    SMC DIODE SOLUTIONS
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK-7
  • Рассеиваемая мощность
    153Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    SiC
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    вывод Кельвина
  • Заряд затвора
    29,6нC
  • Ток стока
    15А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1,2кВ
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    212мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    66А
  • Gate-source voltage
    -5...20В
  • Вес
    2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация