RGT50NS65DGTL

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 970 шт
Количество Цена
1 880 ₽
10 580 ₽
100 410 ₽
500 338 ₽
1000 359 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+50 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    RGT50NS65DGTL
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
RGT50NS65DGTL от 338 рублей в наличии 970 шт производства ROHM SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

RGT50NS65DGTL описание и характеристики

Транзистор: IGBT

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    LPDS
  • Рассеиваемая мощность
    97Вт
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    integrated anti-parallel diode
  • Заряд затвора
    49нC
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    650В
  • Ток коллектора
    25А
  • Ток коллектора в импульсе
    75А
  • Время включения
    65нс
  • Время выключения
    210нс
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±30В
  • Вес
    1.5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация