RGT50NS65DGC9

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 900 шт
Количество Цена
1 956 ₽
50 495 ₽
100 450 ₽
500 372 ₽
1000 347 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+52 балла
RGT50NS65DGC9 от 347 рублей в наличии 900 шт производства ROHM SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

RGT50NS65DGC9 описание и характеристики

Транзистор: IGBT

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Монтаж
    THT
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    integrated anti-parallel diode
  • Заряд затвора
    49нC
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    650В
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±30В
  • Ток коллектора
    25А
  • Ток коллектора в импульсе
    75А
  • Время включения
    65нс
  • Время выключения
    210нс
  • Корпус
    TO262
  • Рассеиваемая мощность
    97Вт
  • Вид упаковки
    туба
  • Вес
    1.5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация