RF7G120BJFRATCR

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 3000
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    RF7G120BJFRATCR
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
Вы можете запросить у нас любое количество RF7G120BJFRATCR, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

RF7G120BJFRATCR описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -12А; Idm: -24А; 23Вт

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DFN2020-8
  • Рассеиваемая мощность
    23Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    15,5нC
  • Ток стока
    -12А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -40В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    49мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    -24А
  • Gate-source voltage
    ±12В
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация