RD3G07BATTL1

всего в наличии 7320 шт
Количество Цена ₽/шт
1 596
10 495
100 394
500 333
1000 283
Бесплатная доставка
и получите
+42 балла
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    RD3G07BATTL1
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
Купить RD3G07BATTL1 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

RD3G07BATTL1 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -70А; Idm: -140А; 101Вт

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DPAK
  • Корпус
    TO252
  • Рассеиваемая мощность
    101Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    105нC
  • Ток стока
    -70А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -40В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    8,7мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -140А
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация