Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

RD3G07BATTL1

RD3G07BATTL1

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 13898 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 859
10 514
100 281
500 220
2500 183
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 13 898 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

RD3G07BATTL1

Производитель

Купить RD3G07BATTL1 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

RD3G07BATTL1 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -70А; Idm: -140А; 101Вт

Производитель ROHM SEMICONDUCTOR
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус DPAK
Выбрано: Показать
Корпус TO252
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 101Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Заряд затвора 105нC
Выбрано: Показать
Ток стока -70А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -40В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 8,7мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -140А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 1g

Похожие товары

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти