RD3G07BATTL1

всего в наличии 20258 шт
Количество Цена
1 641 ₽
10 511 ₽
100 381 ₽
250 376 ₽
500 308 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+46 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    RD3G07BATTL1
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
RD3G07BATTL1 от 308 рублей в наличии 20258 шт производства ROHM SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

RD3G07BATTL1 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -70А; Idm: -140А; 101Вт

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    105нC
  • Корпус
    DPAK
  • Корпус
    TO252
  • Монтаж
    SMD
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Напряжение сток-исток
    -40В
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    101Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии
    8,7мОм
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Ток стока
    -70А
  • Ток стока в импульсном режиме
    -140А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация