RD3G03BATTL1

всего в наличии 4398 шт
Количество Цена
1 557 ₽
10 355 ₽
100 240 ₽
1000 175 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+26 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    RD3G03BATTL1
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Техническое описание:
Купить RD3G03BATTL1 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

RD3G03BATTL1 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 56W

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Полярность
    unipolar
  • Напряжение сток-исток
    -40V
  • Ток стока
    -35A
  • Ток стока в импульсном режиме
    -70A
  • Рассеиваемая мощность
    56W
  • Корпус
    DPAK
  • Корпус
    TO252
  • Напряжение затвор-исток
    ±20V
  • Сопротивление в открытом состоянии
    24mΩ
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    38nC
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Вид канала
    enhanced
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация