Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

RD3G01BATTL1

RD3G01BATTL1

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 612 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 607
10 337
100 153
500 113
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 612 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

RD3G01BATTL1

Производитель

Купить RD3G01BATTL1 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

RD3G01BATTL1 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -15А; Idm: -30А; 25Вт

Производитель ROHM SEMICONDUCTOR
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Заряд затвора 19,3нC
Выбрано: Показать
Корпус DPAK
Выбрано: Показать
Корпус TO252
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -40В
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 25Вт
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 49мОм
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Ток стока -15А
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -30А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 1g

Похожие товары

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти