R6006JND3TL1

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 605 шт
Количество Цена
14 369 ₽
42 325 ₽
93 295 ₽
204 273 ₽
439 244 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+36 баллов
  • Условия
    Минимально 14 и кратно 14
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    R6006JND3TL1
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
R6006JND3TL1 от 244 рублей в наличии 605 шт производства ROHM SEMICONDUCTOR, купить от 14 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

R6006JND3TL1 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; Idm: 18А; 86Вт; TO252

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TO252
  • Рассеиваемая мощность
    86Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    15,5нC
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    600В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    936мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Ток стока в импульсном режиме
    18А
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация