NXH800H120L7QDSG

всего в наличии 35 шт
Количество Цена
1 35 380 ₽
24 32 751 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+4912 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    NXH800H120L7QDSG
  • Производитель
    ONSEMI
NXH800H120L7QDSG от 32751 рублей в наличии 35 шт производства ONSEMI, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

NXH800H120L7QDSG описание и характеристики

Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge,NTC thermistor

  • Производитель
    ONSEMI
  • Механический монтаж
    винтами
  • Корпус
    PIM11
  • Применение
    для UPS
  • Применение
    инвертор
  • Конструкция диода
    диод/транзистор
  • Обратное напряжение макс.
    1,2кВ
  • Технология
    SiC
  • Топология
    полумост IGBT
  • Топология
    термистор NTC
  • Ток коллектора
    800А
  • Ток коллектора в импульсе
    1,6кА
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Тип полупроводникового модуля
    IGBT
  • Вес
    100g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация