NVBG020N120SC1

всего в наличии 234 шт
Количество Цена
1 9 604 ₽
10 8 337 ₽
100 8 144 ₽
500 8 024 ₽
800 6 812 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1021 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    NVBG020N120SC1
  • Производитель
    ONSEMI
NVBG020N120SC1 от 6812 рублей в наличии 234 шт производства ONSEMI, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

NVBG020N120SC1 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W

  • Производитель
    ONSEMI
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK-7
  • Рассеиваемая мощность
    3,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    SiC
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    вывод Кельвина
  • Заряд затвора
    0,22мкC
  • Ток стока
    8,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1,2кВ
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    50мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    392А
  • Gate-source voltage
    -5...20В
  • Вес
    1.5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация