NTHD4P02FT1G

всего в наличии 2892 шт
Количество Цена ₽/шт
1 420
10 343
100 267
500 226
1000 184
Бесплатная доставка
и получите
+27 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    NTHD4P02FT1G
  • Производитель
    ONSEMI
Купить NTHD4P02FT1G от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

NTHD4P02FT1G описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -9А

  • Производитель
    ONSEMI
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    ChipFET
  • Рассеиваемая мощность
    600мВт
  • Полярность
    полевой
  • Заряд затвора
    3нC
  • Ток стока
    -1,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET + Schottky
  • Сопротивление в открытом состоянии
    200мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -9А
  • Вес
    0.01g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация