NTGD1100LT1G

NTGD1100LT1G

нет в наличии

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 14 и кратно 14

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
NTGD1100LT1G
Производитель
ONSEMI

Вы можете запросить у нас любое количество NTGD1100LT1G, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

NTGD1100LT1G описание и характеристики

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6

Вы смотрели:

Подробнее

Подробнее

MIKROMEDIA HMI 7 CAPACITIVE

Подробнее

Подробнее

EA16N F21000000A0

Подробнее

Похожие товары

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

+1950 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,073А; 0,08Вт; SC70-6

+33750 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

+2760 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А

+234 балла

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

+7200 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

+4425 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 40/-40В

+16020 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+40500 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+1725 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+10350 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8

+13950 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

+25200 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text