NTGD1100LT1G

NTGD1100LT1G

всего в наличии 1000 шт

Количество	Цена
14	197 ₽
28	123 ₽
133	74 ₽
734	64 ₽

+

-

В корзину

Бесплатная доставка

и получите

+9 баллов

Условия

Минимально 14 и кратно 14

Срок поставки 4 недели
Цена включает НДС
Артикул
NTGD1100LT1G
Производитель
ONSEMI

NTGD1100LT1G от 64 рублей в наличии 1000 шт производства ONSEMI, купить от 14 шт можно Visa, Mastecard и МИР

Visa, Mastecard и МИР

банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

NTGD1100LT1G описание и характеристики

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6

Похожие товары

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

+44640 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,073А; 0,08Вт; SC70-6

+29160 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

+5940 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А

+5940 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

+9300 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

+5700 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 40/-40В

+20700 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+4125 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+2250 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 20/-20В

+657 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+13275 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8

+55800 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text