NTBG080N120SC1

всего в наличии 1030 шт
Количество Цена
1 1 985 ₽
10 1 595 ₽
100 1 566 ₽
800 1 279 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+191 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    NTBG080N120SC1
  • Производитель
    ONSEMI
NTBG080N120SC1 от 1279 рублей в наличии 1030 шт производства ONSEMI, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

NTBG080N120SC1 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 110A; 89W

  • Производитель
    ONSEMI
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK-7
  • Рассеиваемая мощность
    89Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    SiC
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    вывод Кельвина
  • Заряд затвора
    56нC
  • Ток стока
    21А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1,2кВ
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    121мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    110А
  • Gate-source voltage
    -5...20В
  • Вес
    1.5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация