NCP5181DR2G

всего в наличии 1879 шт
Количество Цена ₽/шт
1 503
5 454
25 402
100 360
Бесплатная доставка
и получите
+54 балла
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    NCP5181DR2G
  • Производитель
    ONSEMI
Купить NCP5181DR2G от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

NCP5181DR2G описание и характеристики

IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -2,2÷1,4А; Ch: 2

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Тип микросхемы
    driver
  • Вид упаковки
    лента
  • Монтаж
    SMD
  • Рабочая температура
    -40...125°C
  • Выходной ток
    -2,2...1,4А
  • Корпус
    SO8
  • Кол-во каналов
    2
  • Вид упаковки
    бобина
  • Защита
    от снижения напряжения
  • Время падения импульса
    40нс
  • Класс напряжения
    600В
  • Вид микросхемы
    high-/low-side
  • Вид микросхемы
    контроллер затвора
  • Время нарастания импульса
    60нс
  • Топология
    полумост IGBT
  • Топология
    полумост MOSFET
  • Напряжение питания
    10...20В DC
  • Вес
    0.14g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация