Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

NCP5111DR2G

NCP5111DR2G

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 5173 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 496
10 287
25 195
100 140
500 117
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 5173 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

NCP5111DR2G

Производитель

Техническое описание

Купить NCP5111DR2G от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

NCP5111DR2G описание и характеристики

IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2

Производитель ONSEMI
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Рабочая температура -40...125°C
Выбрано: Показать
Корпус SO8
Выбрано: Показать
Напряжение питания 10...20В DC
Выбрано: Показать
Защита от снижения напряжения
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Тип микросхемы driver
Выбрано: Показать
Выходной ток -500...250мА
Выбрано: Показать
Класс напряжения 600В
Выбрано: Показать
Вид микросхемы high-/low-side
Выбрано: Показать
Вид микросхемы контроллер затвора
Выбрано: Показать
Кол-во каналов 2
Выбрано: Показать
Топология полумост IGBT
Выбрано: Показать
Топология полумост MOSFET
Выбрано: Показать
Время падения импульса 75нс
Выбрано: Показать
Время нарастания импульса 160нс
Выбрано: Показать
Вес 0.1g

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти