NCP5106BDR2G

всего в наличии 13328 шт
Количество Цена ₽/шт
1 349
10 311
25 295
100 227
500 190
Бесплатная доставка
и получите
+28 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    NCP5106BDR2G
  • Производитель
    ONSEMI
Купить NCP5106BDR2G от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

NCP5106BDR2G описание и характеристики

IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO8; -500÷250мА; Ch: 2

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Рабочая температура
    -40...125°C
  • Корпус
    SO8
  • Напряжение питания
    10...20В DC
  • Защита
    от снижения напряжения
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики интегральных схем
    integrated bootstrap functionality
  • Тип микросхемы
    driver
  • Выходной ток
    -500...250мА
  • Класс напряжения
    600В
  • Вид микросхемы
    контроллер затвора
  • Вид микросхемы
    high-/low-side
  • Кол-во каналов
    2
  • Топология
    полумост IGBT
  • Топология
    полумост MOSFET
  • Время падения импульса
    75нс
  • Время нарастания импульса
    160нс
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация