MXP120A080FL-GE3

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество MXP120A080FL-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

MXP120A080FL-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 58A; 56W

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO247-4
  • Рассеиваемая мощность
    56Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    туба
  • Технология
    SiC
  • Технология
    MaxSiC™
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    вывод Кельвина
  • Заряд затвора
    47,3нC
  • Ток стока
    18А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1,2кВ
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,175Ом
  • Ток стока в импульсном режиме
    58А
  • Gate-source voltage
    -5...20В
  • Вес
    5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация