MMIX1G320N60B3

MMIX1G320N60B3
MMIX1G320N60B3
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    MMIX1G320N60B3
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 244.13 KB
Вы можете запросить у нас любое количество MMIX1G320N60B3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

MMIX1G320N60B3 описание и характеристики

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD

  • Производитель
    IXYS
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SMPD
  • Рассеиваемая мощность
    1кВт
  • Вид упаковки
    туба
  • Технология
    PT
  • Технология
    BiMOSFET™
  • Технология
    GenX3™
  • Заряд затвора
    585нC
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    600В
  • Ток коллектора
    180А
  • Ток коллектора в импульсе
    1кА
  • Время включения
    107нс
  • Время выключения
    595нс
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    8g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text