LGE3M80120J

LGE3M80120J

нет в наличии

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 шт и кратно 1 шт

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
LGE3M80120J
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC

Вы можете запросить у нас любое количество LGE3M80120J, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

LGE3M80120J описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 23A; 136W; D2PAK-7

Вы смотрели:

Подробнее

Подробнее

Подробнее

Подробнее

Подробнее

Похожие товары

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,8А; 0,2Вт; SOT23

+119250 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,21А; 0,3Вт; SOT23

+2475 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; SOT23-3

+1860 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23

+10260 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,2Вт; SOT23

+5400 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,19А; Idm: 1,2А; 830мВт

+27720 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,245А; Idm: 1,2А; 1,2Вт

+25560 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

+5310 баллов

Подробнее

2N7002DWH6327XTSA1

2N7002DWH6327XTSA1

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

+5265 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,37Вт; SOT23

+14220 баллов

Подробнее

2N7002H6327XTSA2

2N7002H6327XTSA2

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT23

+5760 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

+16920 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text