LGE3M25120Q

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    LGE3M25120Q
  • Производитель
    LUGUANG ELECTRONIC
Вы можете запросить у нас любое количество LGE3M25120Q, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

LGE3M25120Q описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 200A; 370W

  • Производитель
    LUGUANG ELECTRONIC
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO247-4
  • Рассеиваемая мощность
    370W
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    tube
  • Технология
    SiC
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    Kelvin terminal
  • Заряд затвора
    54nC
  • Ток стока
    60A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    1.2kV
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    43mΩ
  • Ток стока в импульсном режиме
    200A
  • Gate-source voltage
    -5...20V
  • Вес
    5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация