IXYN82N120C3H1

всего в наличии 6 шт
Количество Цена
1 6 980 ₽
10 5 044 ₽
30 5 038 ₽
100 4 475 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+671 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    IXYN82N120C3H1
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
IXYN82N120C3H1 от 4475 рублей в наличии 6 шт производства IXYS, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IXYN82N120C3H1 описание и характеристики

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 66А; SOT227B

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    IGBT
  • Рассеиваемая мощность
    500Вт
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Обратное напряжение макс.
    1,2кВ
  • Технология
    XPT™
  • Технология
    GenX3™
  • Ток коллектора
    66А
  • Ток коллектора в импульсе
    320А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    37.22g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация