IXXN110N65B4H1

всего в наличии 440 шт
Количество Цена
1 6 361 ₽
10 5 239 ₽
20 5 065 ₽
50 4 957 ₽
100 4 851 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+727 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    IXXN110N65B4H1
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
IXXN110N65B4H1 от 4851 рублей в наличии 440 шт производства IXYS, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IXXN110N65B4H1 описание и характеристики

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    IGBT
  • Рассеиваемая мощность
    750Вт
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Обратное напряжение макс.
    650В
  • Технология
    XPT™
  • Технология
    GenX4™
  • Ток коллектора
    110А
  • Ток коллектора в импульсе
    650А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    30g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация