IXXN110N65B4H1

всего в наличии 465 шт
Количество Цена
1 7 792 ₽
10 6 924 ₽
20 6 459 ₽
50 6 259 ₽
100 6 056 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+908 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    IXXN110N65B4H1
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
IXXN110N65B4H1 от 6056 рублей в наличии 465 шт производства IXYS, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IXXN110N65B4H1 описание и характеристики

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    IGBT
  • Рассеиваемая мощность
    750Вт
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Обратное напряжение макс.
    650В
  • Технология
    XPT™
  • Технология
    GenX4™
  • Ток коллектора
    110А
  • Ток коллектора в импульсе
    650А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    30g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация