IXTA1R4N100P

всего в наличии 486 шт
Количество Цена
1 863 ₽
10 725 ₽
50 681 ₽
100 579 ₽
250 554 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+83 балла
IXTA1R4N100P от 554 рублей в наличии 486 шт производства IXYS, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IXTA1R4N100P описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт

  • Производитель
    IXYS
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TO263
  • Рассеиваемая мощность
    63Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    туба
  • Технология
    Polar™
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    standard power mosfet
  • Заряд затвора
    17,8нC
  • Ток стока
    1,4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1кВ
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    11,8Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Время готовности
    750нс
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Вес
    2.5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация