IXGN100N170

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 199 шт
Количество Цена
1 13 709 ₽
10 10 585 ₽
100 10 447 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1567 баллов
IXGN100N170 от 10447 рублей в наличии 199 шт производства IXYS, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IXGN100N170 описание и характеристики

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 95А; SOT227B

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    IGBT
  • Рассеиваемая мощность
    735Вт
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Обратное напряжение макс.
    1,7кВ
  • Технология
    NPT
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    высоковольтный
  • Ток коллектора
    95А
  • Ток коллектора в импульсе
    600А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    37.13g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация