Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

IXBT10N170

IXBT10N170

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 27 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 652
3 1 485
10 1 384
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 27 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IXBT10N170

Производитель

Техническое описание

Купить IXBT10N170 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IXBT10N170 описание и характеристики

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

Производитель IXYS
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус TO268
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 140Вт
Выбрано: Показать
Вид упаковки туба
Выбрано: Показать
Технология BiMOSFET™
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов высоковольтный
Выбрано: Показать
Заряд затвора 30нC
Выбрано: Показать
Тип транзистора IGBT
Выбрано: Показать
Напряжение коллектор-эмиттер 1,7кВ
Выбрано: Показать
Ток коллектора 10А
Выбрано: Показать
Ток коллектора в импульсе 40А
Выбрано: Показать
Время включения 63нс
Выбрано: Показать
Время выключения 1,8мкс
Выбрано: Показать
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Выбрано: Показать
Вес 4g

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти