IXBR42N170

IXBR42N170
IXBR42N170
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    IXBR42N170
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 170.47 KB
Вы можете запросить у нас любое количество IXBR42N170, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

IXBR42N170 описание и характеристики

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 32А; 200Вт; PLUS247™

  • Производитель
    IXYS
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    PLUS247™
  • Рассеиваемая мощность
    200W
  • Вид упаковки
    tube
  • Технология
    BiMOSFET™
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    high voltage
  • Заряд затвора
    188nC
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    1.7kV
  • Ток коллектора
    32A
  • Ток коллектора в импульсе
    300A
  • Время включения
    224ns
  • Время выключения
    1.07µs
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20V
  • Вес
    6g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text