IXBN75N170

всего в наличии 11 шт
Количество Цена
1 28 111 ₽
3 25 259 ₽
10 23 574 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+3536 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    IXBN75N170
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
IXBN75N170 от 23574 рублей в наличии 11 шт производства IXYS, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IXBN75N170 описание и характеристики

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B

  • Производитель
    IXYS
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    SOT227B
  • Тип модуля
    IGBT
  • Рассеиваемая мощность
    625Вт
  • Конструкция диода
    одиночный транзистор
  • Обратное напряжение макс.
    1,7кВ
  • Технология
    BiMOSFET™
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    высоковольтный
  • Ток коллектора
    75А
  • Ток коллектора в импульсе
    680А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    37.09g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация