IXBH9N160G

IXBH9N160G
IXBH9N160G
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+1724 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    IXBH9N160G
  • Производитель
    IXYS
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 78.36 KB
Вы можете запросить у нас любое количество IXBH9N160G, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

IXBH9N160G описание и характеристики

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 5А; 100Вт; TO247-3

  • Производитель
    IXYS
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO247-3
  • Рассеиваемая мощность
    100Вт
  • Вид упаковки
    туба
  • Технология
    BiMOSFET™
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    высоковольтный
  • Заряд затвора
    34нC
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    1,6кВ
  • Ток коллектора
    5А
  • Ток коллектора в импульсе
    10А
  • Время включения
    340нс
  • Время выключения
    190нс
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    2.013g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text