IS42S81600F-7TL

IS42S81600F-7TL

всего в наличии 90 шт

Количество	Цена ₽/шт
1	884
10	803
108	699
216	696
540	673

+

-

В корзину

Бесплатная доставка

и получите

+100 баллов

Условия

Минимально 1 шт и кратно 1 шт

Срок поставки 4 недели
Цена включает НДС
Артикул
IS42S81600F-7TL
Производитель
ISSI
Техническое описание:

Документация язык en

Pdf, 939.08 KB

Купить IS42S81600F-7TL от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastecard и МИР

Visa, Mastecard и МИР

можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

IS42S81600F-7TL описание и характеристики

IC: память DRAM; 4Mx8битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C; туба

Смежные товары

Инструмент: вакуумный захват

от 33 860 ₽

+10158 баллов

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 14мм; ESD

от 33 860 ₽

+10158 баллов

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD

от 33 860 ₽

+10158 баллов

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 70мм; Ø: 13мм; ESD

по запросу

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 15мм

по запросу

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 14мм; ESD

по запросу

Подробнее

Инструмент: экстрактор микросхем; SMD

по запросу

Подробнее

Похожие товары

AS4C128M16D2-25BCN

AS4C128M16D2-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 200МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+100088 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2-25BIN

AS4C128M16D2-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+4170 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BCN

AS4C128M16D2A-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+82231 балл

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BIN

AS4C128M16D2A-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+95649 баллов

Подробнее

AS4C128M16D3LA-12BCN

AS4C128M16D3LA-12BCN

Память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; FBGA96; 0÷70°C

+2465 баллов

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BCN

AS4C128M8D3B-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+16716 баллов

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BIN

AS4C128M8D3B-12BIN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷85°C

+19044 балла

Подробнее

AS4C128M8D3LB-12BCN

AS4C128M8D3LB-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+94235 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1-5BIN

AS4C16M16D1-5BIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40÷85°C; лоток

+12924 балла

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TCN

AS4C16M16D1A-5TCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; лоток

+11632 балла

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C

+340978 баллов

Подробнее

AS4C16M16D2-25BCN

AS4C16M16D2-25BCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+23230 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text