IS42S16800F-6TL

IS42S16800F-6TL

нет в наличии

Количество	Цена
1	566 ₽
10	508 ₽
25	501 ₽
108	445 ₽
216	430 ₽

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
IS42S16800F-6TL
Производитель
ISSI
Техническое описание:

Документация язык en

Pdf, 939.08 KB

Вы можете запросить у нас любое количество IS42S16800F-6TL, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

IS42S16800F-6TL описание и характеристики

IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; 0÷70°C; туба

Смежные товары

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 14мм; ESD

от 24 652 ₽

+3698 баллов

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват

от 24 652 ₽

+3698 баллов

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD

от 24 652 ₽

+3698 баллов

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 14мм; ESD

по запросу

Подробнее

Инструмент: экстрактор микросхем; SMD

по запросу

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 70мм; Ø: 13мм; ESD

по запросу

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 15мм

по запросу

Подробнее

Вы смотрели:

Подробнее

Подробнее

GN 425.8-120-NI-SW-B

Подробнее

Подробнее

E2EW-QX5C118 2M

Подробнее

Похожие товары

AS4C128M16D2-25BIN

AS4C128M16D2-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+64832 балла

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BCN

AS4C128M16D2A-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+64550 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BIN

AS4C128M16D2A-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+75836 баллов

Подробнее

AS4C128M16D3LA-12BCN

AS4C128M16D3LA-12BCN

Память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; FBGA96; 0÷70°C

+1883 балла

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BCN

AS4C128M8D3B-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+34195 баллов

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BIN

AS4C128M8D3B-12BIN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷85°C

+43560 баллов

Подробнее

AS4C128M8D3LB-12BCN

AS4C128M8D3LB-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+37425 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1-5BCN

AS4C16M16D1-5BCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C; лоток

+25344 балла

Подробнее

AS4C16M16D1-5BIN

AS4C16M16D1-5BIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40÷85°C; лоток

+28188 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C

+11210 баллов

Подробнее

AS4C16M16D2-25BCN

AS4C16M16D2-25BCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+18716 баллов

Подробнее

AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C

+1038 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text