Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

IPT029N08N5ATMA1

IPT029N08N5ATMA1

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 1563 шт
Количество Цена ₽ /шт
5 958
50 602
100 483
500 416
1000 386
Добавить 5 шт. на ₽
В корзину
От 5 шт.
Доступно 1563 шт.

Условия

  • Минимально 5 и кратно 5
  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IPT029N08N5

Производитель

Техническое описание

Купить IPT029N08N5ATMA1 от 5 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IPT029N08N5 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт

Производитель INFINEON TECHNOLOGIES
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PG-HSOF-8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 167Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология OptiMOS™ 5
Выбрано: Показать
Заряд затвора 70нC
Выбрано: Показать
Ток стока 120А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 80В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 2,9мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 676А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.025g

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти