IPN80R3K3P7ATMA1

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+9 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество IPN80R3K3P7ATMA1, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

IPN80R3K3P7 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223

  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PG-SOT223
  • Рассеиваемая мощность
    6,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Технология
    CoolMOS™ P7
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    6нC
  • Ток стока
    1,3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    800В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    3,3Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Вес
    0.115g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация