IMW65R027M1HXKSA1

всего в наличии 373 шт
Количество Цена
1 4 034 ₽
10 3 777 ₽
25 2 585 ₽
100 2 304 ₽
240 2 301 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+345 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    IMW65R027M1HXKSA1
  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES
IMW65R027M1HXKSA1 от 2301 рублей в наличии 373 шт производства INFINEON TECHNOLOGIES, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IMW65R027M1HXKSA1 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт

  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO247
  • Рассеиваемая мощность
    189Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    SiC
  • Технология
    CoolSiC™
  • Ток стока
    39А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    650В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    35мОм
  • Напряжение затвор-исток
    -5...23В
  • Ток стока в импульсном режиме
    185А
  • Вес
    6.5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация