IMBG120R116M2HXTMA1

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2000 шт
Количество Цена
1000 607 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+91 балл
  • Условия
    Минимально 1000 и кратно 1000
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    IMBG120R116M2HXT-0
  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES
IMBG120R116M2HXTMA1 от 607 рублей в наличии 2000 шт производства INFINEON TECHNOLOGIES, купить от 1000 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

IMBG120R116M2HXT-0 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; N; 1.2kV; 21.2A; 123W; D2PAK-7

  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK-7
  • Рассеиваемая мощность
    123Вт
  • Полярность
    N
  • Заряд затвора
    14,4нC
  • Ток стока
    21,2А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1,2кВ
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    116мОм
  • Gate-source voltage
    -10...23В
  • Вес
    1.8g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация