IGT60R190D1SATMA1

IGT60R190D1SATMA1
IGT60R190D1SATMA1
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+178 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество IGT60R190D1SATMA1, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

IGT60R190D1SATMA1 описание и характеристики

Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А

  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PG-HSOF-8-3
  • Рассеиваемая мощность
    55,5Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    CoolGaN™
  • Заряд затвора
    3,2нC
  • Ток стока
    12,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    600В
  • Тип транзистора
    N-JFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    190мОм
  • Напряжение затвор-исток
    -10В
  • Ток управления
    7,7мА
  • Ток стока в импульсном режиме
    23А
  • Вес
    0.838g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text