HGTP10N120BN

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    HGTP10N120BN
  • Производитель
    ONSEMI
Вы можете запросить у нас любое количество HGTP10N120BN, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

HGTP10N120BN описание и характеристики

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 17А; 298Вт; TO220-3

  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Корпус
    TO220AB
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Ток коллектора в импульсе
    80А
  • Заряд затвора
    150нC
  • Рассеиваемая мощность
    298Вт
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    1200В
  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Ток коллектора
    17А
  • Монтаж
    THT
  • Вес
    2.027g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация