HGTP10N120BN

всего в наличии 800 шт
Количество Цена
100 1 367 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+205 баллов
  • Условия
    Минимально 100 и кратно 100
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    HGTP10N120BN
  • Производитель
    ONSEMI
HGTP10N120BN от 1367 рублей в наличии 800 шт производства ONSEMI, купить от 100 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

HGTP10N120BN описание и характеристики

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 17А; 298Вт; TO220-3

  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Корпус
    TO220AB
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Ток коллектора в импульсе
    80А
  • Заряд затвора
    150нC
  • Рассеиваемая мощность
    298Вт
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    1200В
  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Ток коллектора
    17А
  • Монтаж
    THT
  • Вес
    2.027g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация