HGTD1N120BNS9A

всего в наличии 64208 шт
Количество Цена
1 419 ₽
10 343 ₽
100 268 ₽
1000 185 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+27 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    HGTD1N120BNS9A
  • Производитель
    ONSEMI
HGTD1N120BNS9A от 185 рублей в наличии 64208 шт производства ONSEMI, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

HGTD1N120BNS9A описание и характеристики

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 2,7А; 60Вт; DPAK

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TO252AA
  • Рассеиваемая мощность
    60Вт
  • Заряд затвора
    21нC
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    1200В
  • Ток коллектора
    2,7А
  • Ток коллектора в импульсе
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация