HGT1S10N120BNST

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+84 балла
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    HGT1S10N120BNST
  • Производитель
    ONSEMI
  • Техническое описание:
Вы можете запросить у нас любое количество HGT1S10N120BNST, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

HGT1S10N120BNST описание и характеристики

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 17А; 298Вт; D2PAK

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Рассеиваемая мощность
    298Вт
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    150нC
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    1,2кВ
  • Ток коллектора
    17А
  • Ток коллектора в импульсе
    80А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    1.746g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация