HGT1S10N120BNST

всего в наличии 700 шт
Количество Цена
1 1 060 ₽
10 929 ₽
100 798 ₽
500 667 ₽
1000 653 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+97 баллов
HGT1S10N120BNST от 653 рублей в наличии 700 шт производства ONSEMI, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

HGT1S10N120BNST описание и характеристики

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 17А; 298Вт; D2PAK

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Рассеиваемая мощность
    298Вт
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    150нC
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    1,2кВ
  • Ток коллектора
    17А
  • Ток коллектора в импульсе
    80А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    1.746g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация