HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+91 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    HGT1S10N120BNST
  • Производитель
    ONSEMI
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 278.71 KB
Вы можете запросить у нас любое количество HGT1S10N120BNST, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

HGT1S10N120BNST описание и характеристики

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 17А; 298Вт; D2PAK

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Рассеиваемая мощность
    298Вт
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    150нC
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    1,2кВ
  • Ток коллектора
    17А
  • Ток коллектора в импульсе
    80А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    1.746g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text