Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

GT800N10I

GT800N10I

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 1514 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 349
10 172
100 41
500 23.3
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 1 514 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

GT800N10I-GFS

Производитель

Купить GT800N10I от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

GT800N10I-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 3.4A; Idm: 13.6A; 1.7W

Производитель GOFORD SEMICONDUCTOR
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SOT23
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,7Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Технология Trench
Выбрано: Показать
Заряд затвора 5нC
Выбрано: Показать
Ток стока 3,4А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 100В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,1Ом
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 13,6А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20В
Выбрано: Показать
Вес 1g

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти