Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

GT1K2N10I

GT1K2N10I

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 3000 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 172
25 66
500 17.2
3000 12.7
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 3 000 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

GT1K2N10I-GFS

Производитель

Купить GT1K2N10I от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

GT1K2N10I-GFS описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3.3A; 1.6W; SOT23

Производитель GOFORD SEMICONDUCTOR
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SOT23
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,6Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Технология SGT
Выбрано: Показать
Заряд затвора 4,2нC
Выбрано: Показать
Ток стока 3,3А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 100В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20В
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти