GS66502BMRXUSA1

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 250
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    GS66502BMRXUSA1
  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES
Вы можете запросить у нас любое количество GS66502BMRXUSA1, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

GS66502BMRXUSA1 описание и характеристики

Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 6.3A; Idm: 15A; GaNPX

  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Тип транзистора
    N-JFET
  • Технология
    GaN
  • Полярность
    полевой
  • Вид транзистора
    HEMT
  • Напряжение сток-исток
    650В
  • Ток стока
    6,3А
  • Ток стока в импульсном режиме
    15А
  • Корпус
    GaNPX
  • Gate-source voltage
    -10...7В
  • Сопротивление в открытом состоянии
    516мОм
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    1,6нC
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вес
    0.21g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне
Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация