GD650HFX170P1S

всего в наличии 7 шт
Количество Цена ₽/шт
1 88 778
5 85 469
Бесплатная доставка
и получите
+12820 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD650HFX170P1S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
Купить GD650HFX170P1S от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

GD650HFX170P1S описание и характеристики

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 650A

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • Корпус
    P1.0
  • Топология
    IGBT half-bridge
  • Технология
    Trench FS IGBT
  • Механический монтаж
    screw
  • Ток коллектора в импульсе
    1.3kA
  • Обратное напряжение макс.
    1.7kV
  • Электрический монтаж
    screw
  • Тип модуля
    IGBT
  • Конструкция диода
    transistor/transistor
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20V
  • Ток коллектора
    650A
  • Вес
    825g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация