GD600HFY120P1S

GD600HFY120P1S
GD600HFY120P1S
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+6581 балл
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    GD600HFY120P1S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
Вы можете запросить у нас любое количество GD600HFY120P1S, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

GD600HFY120P1S описание и характеристики

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    P1.0
  • Тип модуля
    IGBT
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Обратное напряжение макс.
    1200В
  • Технология
    Advanced Trench FS IGBT
  • Топология
    полумост IGBT
  • Ток коллектора
    600А
  • Ток коллектора в импульсе
    1200А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    825g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне
Вы смотрели:
AT45DB081E-SSHNHC-T
AT45DB081E-SSHNHC-T
Подробнее
FG26C0G2J102JNT06
FG26C0G2J102JNT06
Подробнее
66.9395-10026
66.9395-10026
Подробнее
BZT52C47-7-F
BZT52C47-7-F
Подробнее
PSC10KV50-502A0505-P08
PSC10KV50-502A0505-P08
Подробнее

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text