GD600HFY120C2S

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 9 шт
Количество Цена
1 34 972 ₽
5 32 830 ₽
10 30 504 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+4575 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD600HFY120C2S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD600HFY120C2S от 30504 рублей в наличии 9 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD600HFY120C2S описание и характеристики

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

  • Ток коллектора в импульсе
    1,2кА
  • Тип полупроводникового модуля
    IGBT
  • Обратное напряжение макс.
    1,2кВ
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Корпус
    C2 62mm
  • Механический монтаж
    винтами
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Технология
    Advanced Trench FS IGBT
  • Тип модуля
    IGBT
  • Ток коллектора
    600А
  • Топология
    полумост IGBT
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    коннекторы FASTON
  • Вес
    300g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне
Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация