GD50HFX65C1S

всего в наличии 32 шт
Количество Цена
1 8 647 ₽
5 8 214 ₽
10 7 611 ₽
50 7 490 ₽
100 7 341 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1101 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD50HFX65C1S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50HFX65C1S от 7341 рублей в наличии 32 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD50HFX65C1S описание и характеристики

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • Корпус
    C1 34mm
  • Обратное напряжение макс.
    650V
  • Технология
    Trench FS IGBT
  • Механический монтаж
    screw
  • Ток коллектора в импульсе
    100A
  • Электрический монтаж
    FASTON connectors
  • Электрический монтаж
    screw
  • Тип модуля
    IGBT
  • Конструкция диода
    transistor/transistor
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20V
  • Ток коллектора
    50A
  • Топология
    IGBT half-bridge
  • Вес
    150g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация