GD50HFX170C1S

всего в наличии 12 шт
Количество Цена
1 11 505 ₽
5 10 931 ₽
10 10 128 ₽
50 9 966 ₽
100 9 769 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1465 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD50HFX170C1S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50HFX170C1S от 9769 рублей в наличии 12 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD50HFX170C1S описание и характеристики

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
  • Механический монтаж
    винтами
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Корпус
    C1 34mm
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Обратное напряжение макс.
    1700В
  • Технология
    Trench FS IGBT
  • Тип модуля
    IGBT
  • Ток коллектора
    50А
  • Ток коллектора в импульсе
    100А
  • Топология
    полумост IGBT
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    коннекторы FASTON
  • Вес
    150g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация