GD50FSY120L3S

всего в наличии 16 шт
Количество Цена
1 13 314 ₽
5 12 649 ₽
10 11 718 ₽
50 11 532 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1729 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD50FSY120L3S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50FSY120L3S от 11532 рублей в наличии 16 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD50FSY120L3S описание и характеристики

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1200В; Ic: 50А; L3.2

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
  • Корпус
    L3.2
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Механический монтаж
    винтами
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Обратное напряжение макс.
    1200В
  • Технология
    Advanced Trench FS IGBT
  • Тип модуля
    IGBT
  • Ток коллектора
    50А
  • Ток коллектора в импульсе
    100А
  • Топология
    3-фазный мост IGBT выход OE
  • Топология
    термистор NTC
  • Электрический монтаж
    Press-in PCB
  • Вес
    39g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация